MV-CI013-GS-NN支持0.4 ~ 1.7μm 寬光譜成像，將可見光和短波波段的響應融于一臺相機，打破了原先僅僅響應于可見光或者SWIR波段的傳感器局限，有助于削減系統成本，通過減輕圖像處理負荷提升處理速度，大幅度擴展檢測對象的領域和范圍。

相機機身結構設計緊湊，能大幅縮小相機所占空間，在各類工業檢測設備有限的空間內，可以更好地做適配。

MV-CI013-GS-NN精簡了TEC制冷和風扇制冷系統，大幅降低了功耗，從根源上減少了噪聲的引入，讓相機在中低曝光下的成像同樣保持細膩。搭配獨有的ISP圖像調節算法，可最大化呈現缺陷細節。

硅在 1.1μm以上的波長下是透明的。因此，在優良波段1.5μm的短波下，相機可拍攝到硅片的底層結構，可檢測硅片隱裂等缺陷；或拍攝TFT顯示屏的背面，檢測觸點質量。

發光成像有助于通過使硅片或太陽能電池發光，來識別硅片或太陽能電池中的非均勻性，如EL、PL等。

SWIR可以透過多種材料。如不同材質的物品，在特定的紅外波段下，會根據吸收、反射程度而呈現透明、半透明、白色、黑色等不同狀態，適用于同色材料分選，塑料內部填充物檢測、深色物品內部劃痕等。

水在特定的波長上有強烈的吸收作用，如在1.45μm波段下，水的吸收能力較強，所以在圖像中顯得比較暗。含水量少的部分，反射率會強烈增加，圖像亮度較高。